POLSKIE ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE


Na tej podstronie zebrano polskie elementy optoelektroniczne.

Fotodioda FG2


Fotodioda germanowa w obudowie szklanej.

Fotodioda AP3


Fotodioda germanowa w obudowie szklanej. Napięcie wsteczne 30V, fotoprąd 1,5mA. Moc strat max. 50mW. Natężenie oświetlenia 3000 lx. Typowa czułość 21 nA/lx. Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotodioda BPP356


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania podczerwonego. Jest to fotodioda PIN w obudowie CO32 z filtrem.

Fotodioda BPYP30


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego. Napięcie wsteczne max. 100V, prąd wsteczny max. 1,5mA. Czułość na światło białe typowo 14nA/lx. Obudowa TO-39 (CO01) z płaskim okienkiem szklanym.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotodioda BPYP35


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego. Napięcie wsteczne max. 100V, prąd wsteczny max. 1,5mA. Czułość na światło białe typowo 38nA/lx. Obudowa TO-39 (CO01) z płaskim okienkiem szklanym.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotodioda BPYP41


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego. Czułość nie gorsza niż 2 nA/lx. Obudowa CO04.

Fotodioda BPYP44


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego.Jest to fotodioda PIN. Czułość nie gorsza niż 25 nA/lx. Obudowa CO01.

Fotodioda BPYP44A


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego.Jest to fotodioda PIN. Obudowa CO01.

Fotodioda BPYP46


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania podczerwonego.Jest to fotodioda PIN. Obudowa CO40.

Fotodioda BPYP46A


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania podczerwonego.jest to fotodioda PIN. Obudowa CO40.

Fotodioda BPSP34


Fotodioda ta jest detektorem promieniowania widzialnego i podczerwonego. Czułość nie gorsza niż 50 nA/lx. Obudowa CO32. W katalogu z 1983/1984r. występuje jako "nowe uruchomienia".

Fotodioda FG2


Jest to fotodioda germanowa w obudowie szklanej. Napięcie wsteczne 30V, fotoprąd 1,5mA. Moc strat max. 50 mW. Natężenie oświetlenia 2000lx. Czułość typowa 92nA/lx.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fototranzystor BPRP22


Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Napięcie emiter-kolektor max.32V. Obudowa CO28.

Fototranzystor BPRP25


Fototranzystor krzemowy.Napięcie emiter-kolektor max.15V Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO30.

Fototranzystor BPRP27


Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO50.Napięcie emiter-kolektor max 32V. Występuje w katalogu z 1990r.

Fototranzystor BPXP28A


Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO09.Napięcie emiter-kolektor max 25V. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Fototranzystor BPYP21


Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa całoszklana z soczewką. Napięcie kolektor-emiter max 8V. Napięcie emiter-kolektor max. 5V. Moc strat max 5mW. Prąd ciemny typowo 50 nA. Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fototranzystor BPYP22


Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa C7-B10. Napięcie kolektor-emiter max 15V. Napięcie emiter-kolektor max. 5V. Moc strat max 150mW. Prąd ciemny typowo 50 nA.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r.". Występuje też w katalogu z 1983/1984r.

Fototranzystor BPYP22A


Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa CO04. Napięcie kolektor-emiter max 15V. Występuje w katalogu z 1990r.

Fototranzystor BPYP24


Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa CO08. Napięcie kolektor-emiter max 15V. Występuje w katalogu z 1990r.

Fototranzystor BPYP25


Fototranzystor krzemowy. Obudowa CO36. Napięcie kolektor-emiter max 15V. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Fototranzystorowe pole odczytowe BPYP26


Fototranzystorowe pole odczytowe do taśm dziurkowanych, zawierajace 9 fototranzystorów. Obudowa CO39. Napięcie kolektor-emiter max 15V. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Fotorezystor RPP111 (FOK-11)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 10...50 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 100 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotorezystor RPP120 (RPP140)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 1...5 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP121 (FOK-21)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 1...10 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP130(FOK-3)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 0,1...0,5 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP131 (FOK-31)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 0,4...1,2 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotorezystor RPP135


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa polistyrenowa (CO19). Rezystancja jasna 25...50 ohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 50 kohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP230 (FOK-3M)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa metalowa z okienkiem. Rezystancja jasna 0,1...0,5 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP236 (RPYP03)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa metalowa z okienkiem. Rezystancja jasna 0,6...2 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP238 (RPYP58)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła ze spiekanego siarczku kadmu. Obudowa metalowa z okienkiem. Rezystancja jasna 0,25...1 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 100 kohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP333


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Obudowa CO16. Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP337 (RPYP52)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa metalowa z okienkiem. Rezystancja jasna 0,4...2,5 kohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 100 kohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPP550 (RPP150)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania widzialnego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa metalowa z metapleksu. Rezystancja jasna 40...200 ohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 1 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Fotorezystor RPYP62 (OFP2.2.1)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania podczerwonego. Warstwa światłoczuła z siarczku kadmu. Obudowa metalowa z okienkiem. Rezystancja jasna 300...2500 kohm. Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPYP63 (RPYP13)


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania podczerwonego. Warstwa światłoczuła z siarczku ołowiu. Obudowa metalowa z okienkiem (CO16). Rezystancja jasna 0,3...2,5 Mohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPYP63F


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania podczerwonego.Posiada filtr. Warstwa światłoczuła z siarczku ołowiu. Obudowa metalowa z okienkiem (CO16). Rezystancja jasna 0,3...2,5 Mohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Znajduje się w katalogu z 1983/1984r. Poszukiwany do kolekcji!

Fotorezystor RPYP63W


Fotorezystor ten jest detektorem promieniowania podczerwonego.Posiada filtr. Warstwa światłoczuła z siarczku ołowiu. Obudowa metalowa z okienkiem (CO44). Rezystancja jasna 0,3...2,5 Mohm, rezystancja ciemna nie mniejsza niż 10 Mohm.Znajduje się w katalogu z 1983/1984r. Poszukiwany do kolekcji!

Dioda elektroluminescencyjna CQYP15


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-950 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 0,9mW. Dioda jest wykonana w drodze dyfuzji z arsenku galu. Obudowa z soczewką z żywicy epoksydowej.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." W katalogu z 1983/1984r. występuje jako nadal produkowana.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP16


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-960 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 1,5mW. Dioda jest wykonana w drodze dyfuzji z arsenku galu. Obudowa z soczewką z żywicy epoksydowej. Występuje w katalogu z 1983/1984r. oraz w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP17


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-950 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 0,9mW. Dioda jest wykonana w drodze dyfuzji z arsenku galu. Obudowa z soczewką z żywicy epoksydowej. Jest przeznaczona do współpracy z fototranzystorem BPYP21 we wskaźnikach końca taśm, czytnikach taśm dziurkowanych itp.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Dioda elektroluminescencyjna CQYP18


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-950 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 0,5 mW. Dioda jest wykonana w drodze dyfuzji z arsenku galu. Obudowa ceramiczno-metalowa z okienkiem.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Dioda elektroluminescencyjna CQYP19


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-950 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 1,5 mW. Dioda jest wykonana w drodze dyfuzji z arsenku galu. Obudowa metalowa z soczewką z żywicy epoksydowej.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." W katalogu z 1983/1984r. opisana jako "wycofana z produkcji w 1982r.)

Dioda elektroluminescencyjna CQYP20


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 900-950 nm. Szerokość charakterystyki widmowej 25-30 nm. Moc 4 mW. Dioda jest wykonana w drodze epitaksji z arsenku galu i pokryta luminoforem. Obudowa metalowa z soczewką z żywicy epoksydowej. Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." W katalogu z 1983/1984r. opisana jako "wycofana z produkcji w 1982r.)

Dioda elektroluminescencyjna CQYP23A


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 920-960 nm. Moc >=10 mW. Obudowa CO24. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP23B


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 920-960 nm. Moc >=14 mW. Obudowa CO24. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQWP13


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 920-960 nm.0,2mW. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1983/1984r. oraz w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQWP42


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 920-960 nm. 20 mW/sr. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r. jako "nowe uruchomienia".

Dioda elektroluminescencyjna CQWP42A


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 940 nm. 17 mW/sr. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQWP42B


Dioda jest źródłem promieniowania podczerwonego. Długość fali 940 nm. 28 mW/sr. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP21


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 535-555 nm. Moc 0,2 mW. Dioda jest wykonana w drodze epitaksji z arsenku galu i pokryta luminoforem. Obudowa metalowa C7-B10.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Dioda elektroluminescencyjna CQYP31


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 690-850 nm. Moc 0,05 mW. Dioda jest wykonana w drodze epitaksji z fosforku indu. Obudowa metalowa z soczewką.Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Dioda elektroluminescencyjna CQYP32A


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka przezroczysta. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP32B


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 0,4 mcd.Soczewka matowa. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP33A


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka przezroczysta. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP33B


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 0,4 mcd. Soczewka matowa. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP40A


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 630-700 nm.Światłość 0,8 mcd.Soczewka przezroczysta. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQYP40B


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 630-700 nm.Światłość 0,4 mcd. Soczewka matowa. Obudowa CO8 Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP412


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 560 nm.Światłość 2,5 mcd. Obudowa CO49. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP413


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 585 nm.Światłość 2,5 mcd. Obudowa CO49. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP414


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 3 mcd. Obudowa CO49. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP423


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 560 nm.Światłość 2,5 mcd. Obudowa CO53. Występuje w katalogu z 1990r.jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP424


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 2,5 mcd. Obudowa CO53. Występuje w katalogu z 1990r jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP431


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 650-680 nm.Światłość 1 mcd. Soczewka czerwona, matowa. Obudowa CO29. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP432


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 1 mcd.Soczewka zielona, matowa. Obudowa CO29. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP433


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 1 mcd. Soczewka żółta, matowa. Obudowa CO29. Występuje w katalogu z 1983/1984r. jako "nowe uruchomienia".

Dioda elektroluminescencyjna CQP434


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 7 mcd. Obudowa CO29. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP441A


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 650-680 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka bezbarwna. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP441B


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 650-680 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka czerwona, przezroczysta. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP441C


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 650-680 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka czerwona, matowa. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP442


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 0,8 mcd. Soczewka zielona, matowa. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP443


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 1 mcd. Soczewka żółta, matowa. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP451


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 660 nm.Światłość 0,5 mcd. Soczewka czerwona, przezroczysta. Obudowa CO51. Występuje w katalogu z 1990r. jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP452


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Obudowa CO51. Występuje w katalogu z 1990r. jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP453


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 2,5 mcd. Obudowa CO51. Występuje w katalogu z 1990 r. jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP454


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 3 mcd. Obudowa CO51. Występuje w katalogu z 1990r jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP461


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 640-680 nm.Światłość 0,9 mcd. Soczewka czerwona, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP461A


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 660 nm.Światłość 0,9 mcd. Soczewka czerwona, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP461B


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 660 nm.Światłość 0,4 mcd. Soczewka czerwona, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP462


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 0,4 mcd. Soczewka zielona, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP462A


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 2,5 mcd. Soczewka zielona, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990 r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP462B


Dioda jest źródłem zielonego promieniowania widzialnego. Długość fali 550-570 nm.Światłość 2,5 mcd. Soczewka zielona, matowa. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990 r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP463


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 0,4 mcd. Soczewka żółta, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1983/1984r. jako "nowe uruchomienia"

Dioda elektroluminescencyjna CQP463A


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 3,5 mcd. Soczewka żółta, przezroczysta. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP463B


Dioda jest źródłem żółtego promieniowania widzialnego. Długość fali 580-600 nm.Światłość 3,5 mcd. Soczewka żółta, matowa. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990r.

Dioda elektroluminescencyjna CQP464A


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 4 mcd. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990r jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP464B


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 635 nm.Światłość 4 mcd. Obudowa CO30. Występuje w katalogu z 1990r jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP487


Dioda dwukolorowa, czerwono-zielona. Czerwone światło o długości fali 635 nm i zielone o długości 560 nm. Obudowa CO52. Występuje w katalogu z 1990r. jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP541


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 660 nm.Światłość 85 mcd. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1990r. jako "nowy produkt".

Dioda elektroluminescencyjna CQP545


Dioda jest źródłem czerwonego promieniowania widzialnego. Długość fali 660 nm.Światłość 30 mcd. Obudowa CO26. Występuje w katalogu z 1990r. jako "nowy produkt".

Transoptor CNMP11


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE25. Występuje w katalogu z 193/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNMP22


Transoptor o napięciu izolacji 1500V. Obudowa CO02. Występuje w katalogu z 183/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNMP63


Transoptor o napięciu izolacji 4000V. Obudowa CE93. Występuje w katalogu z 1983/1984r. jako "nowe uruchomienie". Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNMP67


Transoptor o napięciu izolacji 4000V. Obudowa CE93. Występuje w katalogu z 1990r.

Transoptor CNRP22


Transoptor o napięciu izolacji 1500V. Obudowa CO02. Występuje w katalogu z 1983/1984r.

Transoptor CNSP16A


Transoptor o napięciu izolacji 5000V.Zawiera fototranzystor Darlingtona. Obudowa CO31. Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP16B


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CO31.Zawiera fototranzystor Darlingtona.Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP17A


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE25.Zawiera fototranzystor Darlingtona.Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP17B


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE25.Zawiera fototranzystor Darlingtona. Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP17C


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE25.Zawiera fototranzystor Darlingtona.Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP18


Transoptor o napięciu izolacji 10000V. Obudowa CO41.Występuje w katalogu z 1983/1984r. Występuje też w katalogu z 1990r.

Transoptor CNSP69


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE93.Zawiera fototranzystor Darlingtona. Występuje w katalogu z 1990r.

Transoptor CQ07BP


Transoptor. Obudowa nietypowa.Występuje w katalogu z 1990r.

Transoptor CQ11BP


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa C7-B12.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Transoptor CQ13BP


Transoptor o napięciu izolacji 5000V. Obudowa CO31.Występuje w katalogu z 1990r.

Transoptor CQ15BP


Transoptor o napięciu izolacji 500V. Obudowa CE25.Występuje w katalogu z 1990r.

Transoptor CQ22BP


Transoptor o napięciu izolacji 1500V. Obudowa B6C-C4 (CO02).Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."

Oświetlacz elektroluminescencyjny CQYP51


Oświetlacz ten był źródłem promieniowania podczerwonego do głowic czytników ośmiościeżkowych taśm dziurkowanych. Zawierał osiem diod o złączach dyfuzyjnych.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Oświetlacz elektroluminescencyjny CQYP52


Oświetlacz ten był źródłem promieniowania podczerwonego do głowic czytników dziewięciościeżkowych taśm dziurkowanych. Zawierał dziewięć diod o złączach dyfuzyjnych.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Oświetlacz elektroluminescencyjny CQYP54


Oświetlacz ten był źródłem promieniowania podczerwonego do głowic czytników dziewięciościeżkowych taśm dziurkowanych. Zawierał dziewięć diod o złączach dyfuzyjnych. Współpracował z zespołem fototranzystorów BPYP21.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwany do kolekcji!

Oświetlacz elektroluminescencyjny CQYP57


Oświetlacz ten był źródłem promieniowania do głowic dziewięciościeżkowych taśm dziurkowanych. Zawierał dziewięć diod o złączach dyfuzyjnych w jednej obudowie (CO39).Występuje w katalogu z 1983/1984r. jako "wycofany z produkcji w 1981r."

Głowica odczytująca CQ01BP


Głowica przeznaczona była do fotoelektrycznego odczytywania informacji z ośmiościeżkowej taśmy dziurkowanej. Składała się z oświetlacza CQYP51 oraz bloku fototranzystorów BPYP21. Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwana do kolekcji!

Głowica odczytująca CQ02BP


Głowica przeznaczona była do fotoelektrycznego odczytywania informacji z dziewięciościeżkowej taśmy dziurkowanej. Składała się z oświetlacza CQYP52 oraz bloku fototranzystorów BPYP21. Opisana w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r." Poszukiwana do kolekcji!

Wyświetlacz CQVP31


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm, wspólna anoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 660 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP32


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm, wspólna katoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 660 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP33


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm, wspólna anoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 660 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP34


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm, wspólna katoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 660 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP35


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm, wspólna anoda. Zielona barwa świecenia. Długość fali 560 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP36


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm, wspólna katoda. Zielona barwa świecenia. Długość fali 560 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP37


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm, wspólna anoda. Zielona barwa świecenia. Długość fali 560 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP38


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm, wspólna katoda. Zielona barwa świecenia. Długość fali 560 nm. Światłość nie mniejsza niz 0,1mcd. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP39


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm. Zółta barwa świecenia. Wspólna anoda. Długość fali 590 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP40


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm. Żółta barwa świecenia. Wspólna katoda. Długość fali 590 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP41


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm. Żółta barwa świecenia. Wspólna anoda. Długość fali 590 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP42


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm. Żółta barwa świecenia. Wspólna katoda Długość fali 590 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP43


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm. Wspólna anoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 635 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP44


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 12mm. Wspólna katoda. Czerwona barwa świecenia. Długość fali 635 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP45


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm. Czerwona barwa świecenia. Wspólna anoda. Długość fali 635 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQVP46


Wskaźnik przepełnienia, wysokość cyfry 12mm. Czerwona barwa świecenia. Wspólna katoda. Długość fali 635 nm. Obudowa CO23.

Wyświetlacz CQYP74


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 7mm. Czerwona barwa świecenia. Wspólna anoda. Długość fali 630...700 nm. Obudowa CO33. Światłość powyżej 0,1 mcd.

Wyświetlacz CQYP75


Wskaźnik siedmiosegmentowy, wysokość cyfry 7mm. Czerwona barwa świecenia. Wspólna katoda. Długość fali 630...700 nm. Obudowa CO33.Światłość powyżej 0,1 mcd.

Wyświetlacz CQYP93


Wskaźnik do zegarka Warel. Produkowany krótko.

Wyświetlacz CQYP95


Wskaźnik dziewięciocyfrowy do kalkulatora. Światłość powyżej 50 mcd. Obudowa CO34.

Strona została zaktualizowana 12 lutego 2013r.

Powrót do strony głównej


Powrót do "Polskie elementy półprzewodnikowe"