POLSKIE SCALONE PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE


Na tej podstronie zebrano polskie pamięci półprzewodnikowe (Serii MCY), produkowane niegdyś przez CEMI.

UKŁAD MCY71C01


Statyczna pamięć RAM o organizacji 256 słoów 1-bitowych. Obudowa CE71.Pamięć o niskim zużyciu energii, wykonana w technologii CMOS z bramką aluminiową. Wyjścia trójstanowe. Długi czas cyku odczytu i cyklu zapisu: w wersji MCY71C01A 450ns, w wersji MCY71C01B 650 ns, w wersji MCY71C01C 800 ns i w wersji MCY71C01D 1000 ns.Nie wiadomo, czy weszła do produkcji. Według katalogu z 1985/1986 roku pamięć ta była przewidziana do produkcji po 1985r. Odpowiednik pamięci 5101L-1, 5101-L3, 5101-L4 i 5101-L4 firmy Intel (różne czasy dostępu). Poszukiwana do kolekcji!

UKŁAD MCY7102


Statyczna pamięć RAM o organizacji 1x1024 bity. Obudowa CE71. Układ spotykany w czterech wersjach o różnym czasie dostępu. A- najszybsza-250 ns, B-350 ns, C-450ns, D- najwolniejsza-600ns.Moc tracona była dość znaczna (1W).

UKŁAD MCY71C03


Statyczna pamięć RAM o organizacji 1024 słowa 1-bitowe, czyli 1024 bity. Obudowa CE71.Pamięć o niskim zużyciu energii, wykonana w technologii CMOS z bramką aluminiową. Wyjścia trójstanowe. Długi czas cyku odczytu i cyklu zapisu (1000ns).Spotykana bardzo rzadko. Według katalogu z 1985/1986 roku pamięć ta występowała w dwóch wersjach: MCY71C03A i MCY71C03B i posiadała zatrzaski na wejściach adresowych.Katalog ten podaje, że obudowa tej pamięci to obudowa CE83. Odpowiednikiem pamięci MCY71C03A była pamięć MHB1902 firmy Tesla. Czas dostępu w wersji MCY71C03A wynosił 800 ns od wejścia CE, zaś w wersji MCY71C03B wynosił 1000 ns. Pamięć wymagała napięcia zasilania +5V. Mile widziane do kolekcji wersje A i B tej pamięci.

UKŁAD MCY7114


Statyczna pamięć RAM o organizacji 4x1024 bity. Obudowa CE81.Bywała segregowana na trzy grupy, o różnym czasie dostępu. A- 200ns, B-300ns, C-450ns.Moc tracona była dość znaczna (1W).

UKŁAD MCY7161


Dynamiczna pamięć RAM o organizacji 1x16384 bity. Obudowa CE71.Według dostępnych danych katalogowych bywała segregowana na pięć grup, o różnym czasie dostępu. MCY7161N100- 100ns,MCY7161N120-120ns ,MCY7161N150- 150ns,MCY7161N200-200ns, MCY7161N250-250ns. Odświeżanie było konieczne co 2ms. Moc tracona była dość znaczna (1W). Nie spotkałem się z nią nigdy w rzeczywistości. Poszukiwana do kolekcji!

UKŁAD MCY7304


Statyczna pamięć ROM o organizacji 8x512 bitów. Obudowa CE73.Wystepowała w kilku grupach, w zależności od tego, co było zaprogramowane maską. W wersji MCY7304AA były to wielkie litery alfabetu łacińskiego, cyfry, znaki przystankowe i kilka symboli, jak np.+,-. W wersji MCY7304AB zaprogramowane były litery ze znakami diakrytycznymi (polskie) i część alfabetu rosyjskiego. W wersji MCY7304AC zaprogramowana była część alfabetu rosyjskiego, cyfry i znaki. W wersji MCY7304AJ zawierała duże i małe litery rosyjskie kodu ASCII.Czas dostępu wynosił 450 ns. Wersja pamięci o oznaczeniu MCY7304GR zastosowana była w automacie perkusyjnym "Rytm 16". Prawdopodobnie zawierała programy pracy generatorów dla poszczególnych rytmów. Oznaczenie GR zapewne pochodzi od słów "Generator Rytmu". Uwaga: poszukiwana jest do kolekcji pamięć MCY7304AC oraz inne, które są ewentualnie tu nieuwzględnione. Moc tracona w układzie pamięci MCY7304 wynosiła 1W.Cykl odczytu przy pracy synchronicznej 700ns, przy pracy asynchronicznej zaś 500ns.

UKŁAD MCY7316


Statyczna pamięć ROM o organizacji 8x2048 bitów. Obudowa CE73.Wystepowała w kilku grupach, w zależności od tego, co było zaprogramowane maską.Katalog Cominfo z roku 1991 podaje zawartość 3 podgrup tej serii: MCY7316AB zawierała kod ASCII, alfabet polski i rosyjski; MCY7316AE zawierała kod ASCII alfabet polski - duże i małe litery, zaś MCY7316AJ - kod ASCII, duże i małe litery alfabetu rosyjskiego. Zakładając, że były produkowane tylko te trzy podgrupy, poszukuję jeszcze pamięci MCY7316AE. Moc tracona wynosiła 1W.Czas dostępu do 450 ns.

UKŁAD MCY7704


MCY7704-Pamięć EPROM. Kasowana ultrafioletem, programowana elektrycznie. Prawdopodobnie była produkowana w latach 1985-1986, gdyż widnieje w katalogu z tamtych lat. Odpowiednik pamięci 2704 firmy Intel. Organizacja 512 komórek, zawierających słowa 8-bitowe. Obudowa CE73. Technologia nMOS. Czas odczytu dochodził do 500 ns. Wymagała napięć +12V, +5V i -5V. Poszukiwana do kolekcji!

UKŁAD MCY7716


MCY7716R- Pamięć EPROM. Kasowana ultrafioletem, programowana elektrycznie. Obecnie bardzo rzadko spotykana- prawdopodobnie większość egzemplarzy poddano kasacji, odzyskując przy tym złoto. Odpowiednik pamięci 2716 firmy Intel. Organizacja 2048 komórek, zawierających słowa 8-bitowe, tj. 8x2048 bitów. Wyprowadzenia są zgodne z układem MCY7316 (obudowa CE73). Według intencji producenta miało to służyć wygodnemu przejściu z fazy projektowania do produkcji (układy MCY7316 programowane maską u producenta).Czas odczytu dochodził do 450 ns. Czas programowania był dłuższy- uwzględniając wszystkie "zachcianki" pamięci wynosił ponad 50 ms.

Powrót do strony głównej


Powrót do "Polskie elementy półprzewodnikowe"