POLSKIE FOTOTRANZYSTORY
Na tej podstronie zebrano polskie fototranzystory.
Fototranzystor BPRP22
Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Napięcie emiter-kolektor max.32V. Obudowa CO28.
Fototranzystor BPRP25
Fototranzystor krzemowy.Napięcie emiter-kolektor max.15V Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO30.
Fototranzystor BPRP27
Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO50.Napięcie emiter-kolektor max 32V. Występuje w katalogu z 1990r.
Fototranzystor BPXP28A
Fototranzystor krzemowy. Zakres promieniowania widzialnego i podczerwieni. Obudowa CO09.Napięcie emiter-kolektor max 25V. Występuje w katalogu z 1983/1984r.
Fototranzystor BPYP21
Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa całoszklana z soczewką. Napięcie kolektor-emiter max 8V.
Napięcie emiter-kolektor max. 5V. Moc strat max 5mW. Prąd ciemny typowo 50 nA. Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r."
Fototranzystor BPYP22
Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa C7-B10. Napięcie kolektor-emiter max 15V.
Napięcie emiter-kolektor max. 5V. Moc strat max 150mW. Prąd ciemny typowo 50 nA.Opisany w katalogu "Przyrządy półprzewodnikowe Tom IV- elementy optoelektroniczne, hallotrony i termistory, Wydawnictwa Przemysłu Maszynowego "WEMA", Warszawa 1977r.". Występuje też w katalogu z 1983/1984r.
Fototranzystor BPYP22A
Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa CO04. Napięcie kolektor-emiter max 15V.
Występuje w katalogu z 1990r.
Fototranzystor BPYP24
Fototranzystor krzemowy, wykonany techniką planarną npn, bez wyprowadzenia bazy. Obudowa CO08. Napięcie kolektor-emiter max 15V.
Występuje w katalogu z 1990r.
Fototranzystor BPYP25
Fototranzystor krzemowy. Obudowa CO36. Napięcie kolektor-emiter max 15V.
Występuje w katalogu z 1983/1984r.
Strona została zaktualizowana 25 lipca 2020 r.
Powrót
do strony głównej
Powrót
do "Polskie elementy półprzewodnikowe"